新款功率MOSFET产品可实现更小更环保的汽车电源

日前，S芯片公司针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。
据融合网|DWRH.net获悉，新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用该公司内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。
400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计，内部集成快速恢复体二极管（fast body diode）、恢复软度系数更高的换向行为（commutation behavior）和背对背栅源齐纳（gate-source zener）二极管保护功能，是全桥零压开关拓扑的理想选择。
内部快速体二极管的性能表现亦十分出色，有助于降低EMI电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波器件。MDmeshTM DM2技术通过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低，从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。